SiCパワー半導体（REVOSIC）

革新的なSiC技術で社会に「変革」を促すことを目指してREVOSICと名付けました。
業界最高品質（超低欠陥）を誇る６インチウエハから高効率を実現したパワーモジュールまで総合的な技術開発を進めています。

狭セルピッチのトレンチゲート構造を採用しており、業界トップクラス※の低オン抵抗を実現しています。
※ 2020年12月現在 弊社調べ

SiCパワー半導体（ダイオード、トランジスタ）搭載のパワーモジュールと従来品(Si)を比較すると、体積は約30%削減、電力損失を約70%低減し、パワーモジュールの小型化と車両燃費の向上に貢献しています。

RAF法( Repeated A-Face growth method )※とは異方向の結晶成長を繰り返すことで欠陥低減率99％ 以上という非常に高品質なSiC結晶を成長させる技術です。
低欠陥なウエハを用いることで、大面積なチップを高い歩留りで実現することができます。