SiCパワー半導体(REVOSIC)

REVOSICとは?

REVOSICとは、高品質と低損失を実現するデンソーのSiC技術の総称です。

革新的なSiC技術で社会に「変革」を促すことを目指してREVOSICと名付けました。
業界最高品質(超低欠陥)を誇る6インチウエハから高効率を実現したパワーモジュールまで総合的な技術開発を進めています。

REVOSIC MOSFETの特徴

狭セルピッチのトレンチゲート構造を採用しており、業界トップクラス※の低オン抵抗を実現しています。
※ 2014年9月現在 弊社調べ

REVOSICのメリット

モジュール技術と組み合わせることで、インバータ損失をおよそ1/4に低減し、高負荷域でも99%と高いインバータ効率を実現できます。

REVOSICを支える要素技術(RAF法)

RAF法( Repeated A-Face growth method )※とは異方向の結晶成長を繰り返すことで欠陥低減率99% 以上という非常に高品質なSiC結晶を成長させる技術です。 ※共同開発:豊田中央研究所 ( 2005 年特許取得)
低欠陥なウエハを用いることで、大面積なチップを高い歩留りで実現することができます。

RAF法映像

お問い合わせ先

株式会社デンソー 本社
IC技術3部
小宮 健治

株式会社デンソー 本社
空調冷熱事業部 新事業営業室
外尾 淑泰